二硒化钨（WSe2）是一种无机化合物，化学式为WSe2，呈现灰色晶体的形态。它的主要结构是由上下各一层硒原子，中间连接1层钨原子组成。

作为一种半导体材料，单层WSe2的直接带隙宽度在1.65 eV左右，同时具有n-型和p-型半导体特性，这使它达到了大部分电子和光电器件的材料要求。此外，从块状晶体中剥离的少层WSe2表现出独特的温度依赖性和时间分辨光致发光性质。特别是在300 K到400 K的高温下，观察到三层及以上的WSe2中直接和间接激子的PL发射异常增强。这种性质归因于热激活载流子从Λ点到Κ点的快速间隔转移以及Λ→Γ和Κ→Γ间接跃迁的交叉。

产品名称	WSe2二硒化钨
技术参数	类型：CVT法人工合成
	纯度：>99.99％
	外观：黑色
	电导：半导体
	带隙：单层直接带隙 约1.66eV
	常规尺寸：~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米
	晶体结构：六方晶系
	晶体常数：a=3.28Å    c=12.98Å   α=β=90°  γ=120°
	生长方法：CVT  化学气相传输
标准包装	1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

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