发布时间:2024-07-12 浏览次数:101
二硒化钨(WSe2)是一种无机化合物,化学式为WSe2,呈现灰色晶体的形态。它的主要结构是由上下各一层硒原子,中间连接1层钨原子组成。
作为一种半导体材料,单层WSe2的直接带隙宽度在1.65 eV左右,同时具有n-型和p-型半导体特性,这使它达到了大部分电子和光电器件的材料要求。此外,从块状晶体中剥离的少层WSe2表现出独特的温度依赖性和时间分辨光致发光性质。特别是在300 K到400 K的高温下,观察到三层及以上的WSe2中直接和间接激子的PL发射异常增强。这种性质归因于热激活载流子从Λ点到Κ点的快速间隔转移以及Λ→Γ和Κ→Γ间接跃迁的交叉。
产品名称
WSe2二硒化钨
技术参数
类型:CVT法人工合成
纯度:>99.99%
外观:黑色
电导:半导体
带隙:单层直接带隙 约1.66eV
常规尺寸:~ 3x3x0.1 mm 面积≥10平方毫米
晶体结构:六方晶系
晶体常数:a=3.28Å
c=12.98Å α=β=90° γ=120°
生长方法:CVT 化学气相传输
标准包装
1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话:199-5653-2471王经理