设备特点

   1. 六温区控制 - 最显著特点是具有六个独立温区，每个区可独立调控温度，实现复杂的温度梯度控制，如温度梯度生长晶体生长中需要的精确温度分布。
 2. 大直径 180mm，壁厚10mm，长2150mm，管直径较大，适合直径较粗或多个样品同时生长，提高实验效率，适合批量生产或大型材料制备。
 3. 高温能力 - 通常TMAX温度可达到1300℃，满足大多数高温材料生长需求，如晶体生长、陶瓷、半导体、复合材料。
 4. 气氛控制 - 支持多种气氛环境，如真空、惰性气体、氧化性、还原，通过气体控制系统精确控制，保证生长环境纯度。
 5. 保温 - 采用优质保温材料，如氧化铝硅酸盐纤维，减少热损失，快速升降温，提高能效。
 6. 智能控制 - 配有智能化控制系统，触摸屏显示，可编程升温、保温、冷却程序，远程监控，数据记录，便于分析。
 7. 安全 设有超温、过载、气体泄漏保护，确保操作安全。

设备名称

六温区大管径高温炉

规格型号

T1500-200T66D6Z

供电电源

三相380V 50HZ

额定功率

温区数量

控温精度

±1℃

S型热电偶

Tmax

1380℃

硅碳棒

260*240*1430mm

反应烧结碳化硅

5-10ml/小时

推荐升温速率

 炉管尺寸

长3700×深1000×高1420mm

电动开合 最大角度45度

控制系统

 1、烧结工艺曲线设置：动态显示设置曲线，设备烧结可预存多条工艺曲线，每条工艺曲线可自由设置；

 2、可预约烧结，实现无人值守烧结工艺曲线烧结；

 3、实时显示烧结功率电压等信息并记录烧结数据，并可导出实现无纸记录；

 4、具有实现远程操控，实时观测设备状态；

 5、温度校正：主控温度和试样温度的差值，烧结全程进行非线性修正。

设备细节2

温度精度

±1℃

压力测量与监控

净重

约660KG

设备使用注意事项

 1.设备使用时，Absolute压力表读数不要大于0.15MPa，以防止压力过大造成设备损坏；

 2.真空下使用时，设备使用温度不得超过800℃。

服务支持

 一年有限保修，提供终身支持（保修范围内不包括易耗部件，例如处理管和O形圈，请在下面的相关产品处订购更换件。）