发布时间： 2024-07-10 浏览次数：1874
4H-SiC晶体基片是碳化硅（SiC）的一种晶体类型，碳化硅有大约250种晶体类型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人们的关注。"4H"代表六角晶型，数字“4”表示C-Si双原子层沿C方向的堆垛周期数。
产品名称 4H-SiC晶体基片 技术参数 晶体结构: 六方晶系 晶格常数：a=3.08Å c=10.05Å 熔点2827℃ 硬度(Mohs)：≈9.2 方向：生长轴或偏(0001) 3.5° 密度（g/cm3）3.16 带隙：2.93eV (间接) 导电类型：N导电 电阻率:0.1-0.01 ohm-cm 介电常数：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33 导电率：5W / cm·K 生长方式：MOCVD(有机金属化学气相沉积） 产品规格 常规晶向： 常规尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm 抛光情况：单抛、双抛抛光面：常规单抛为“Si” 面抛光，可按要求做“C”面抛光 抛光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客户要求定做。 晶体缺陷 人工生长单晶都可能存在晶体内部缺陷。 标准包装 1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装
晶体材料咨询电话：199-5653-2471王经理
淘宝店铺
拼多多店铺
微信公众号
豫ICP备10201478号-1
Copyright © 2025 诺巴迪材料科技有限公司 版权所有
