发布时间: 2024-04-29 浏览次数:1495
产品名称 | LaSrAlO4晶体基片 |
技术参数 | 晶体结构: 四方晶系 |
晶格常数:a=3.756Å c=12.636Å | |
密度:5.92g/cm3 | |
熔点:1650°C | |
介电常数:16.8 | |
生长方法:提拉法 | |
产品规格 | 常规晶向:(011)、(100)、(110) |
晶向公差:±0.5°内 | |
常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm,5x5x0.5mm | |
解离情况:沿着(001)面易解离 | |
抛光面粗糙度:Ra<5A注:尺寸及方向可按照客户要求定做。 | |
晶体缺陷 | 人工生长单晶有可能存在晶体内部缺陷。 |
标准包装 | 1000级超净室,100级超净袋或单片盒封装 |